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[接上页] 附件:1.金太阳示范工程关键设备基本要求(2012年) 2.金太阳示范项目汇总表 财政部 科技部 国家能源局 二〇一二年一月十八日 附件1: 金太阳示范工程关键设备基本要求(2012年) 一、电池组件 (一)性能要求 1、晶体硅组件全光照面积的光电转换效率(含组件边框面积)≥14.5%,非晶硅薄膜组件≥7%,cigs薄膜组件≥10%。 2、工作温度范围为-40℃~+85℃,初始功率(出厂前)不低于组件标称功率。 3、使用寿命不低于25年,质保期不少于5年。晶体硅组件衰减率在2年内不高于2%,25年内不高于20%。非晶硅薄膜组件衰减率在2年内不高于4%,25年内不高于20%。 4、晶体硅和非晶硅薄膜组件分别按照gb/t9535(或iec61215)和gb/t18911(或iec61646)以及gb/t20047(或iec61730) 标准要求,通过国家批准认证机构的认证,关键部件和原材料(电池片、封装材料、玻璃面板、背板材料、焊接材料、接线盒和接线端子等)型号、规格及生产厂家应与认证产品一致。 (二)生产企业资质要求 1、在中华人民共和国注册的独立法人,注册资本金在1亿元人民币以上。 2、具有三年以上相关产品独立生产、供应和售后服务的能力。晶体硅组件企业的生产检验能力不低于500 mwp,2011年实际发货量不低于300mwp(以海关报关单或销售发票为准)。非晶硅薄膜组件企业的生产检验能力不低于50mwp,cigs薄膜组件企业的生产检验能力不低于30mwp。 3、配备aaa级太阳模拟器、组件隐裂测试设备、高低温环境试验箱等关键检验设备。 4、2009-2011年无重大质量投诉或合同违约责任。 二、并网逆变器 (一) 性能要求 1、无隔离变压器型逆变器最大转换效率≥97%,含变压器型逆变器最大转换效率≥95%。 2、逆变器输出功率大于其额定功率的50%时,功率因数应不小于0.98,输出有功功率在20%-50%之间时,功率因数不小于0.95。 3、逆变器应具有电网过/欠压保护、过/欠频保护、防孤岛保护、恢复并网保护、过流保护、极性反接保护、过载保护功能和绝缘阻抗监测、残余电流监测功能,电磁兼容性能应满足相应的环境使用要求。 4、按照cnca/cts0004-2009a《并网光伏发电专用逆变器技术条件》要求,通过国家批准认证机构的认证,关键器件和原材料(igbt、变压器、滤波器等)型号、规格及生产厂家应与认证产品一致。 5、质保期不低于2年。 6、鼓励采用高发电性能、高智能管理、安装灵活方便的新型逆变器。 (二)生产企业资质要求 1、在中华人民共和国注册的独立法人,注册资本金在3000万元人民币以上。 2、具有三年以上独立生产、供应和售后服务的能力,2011年实际发货量不低于50mwp(以海关报关单或销售发票为准)。 3、配备直流源、功率分析仪、示波器、电能质量分析仪、绝缘耐压测试仪、残余电流测试仪、漏电流测试仪、rlc可调负载等出厂检验设备。 4、2009-2011年内无重大质量投诉或合同违约责任。 三、储能蓄电池 (一)性能要求 1、直流电压等级为2v、12v。 2、充电接受能力:充电电流ica与c10/10的比值不小于2.2。 3、容量一致性:最大实际容量与最小实际容量差值不大于5%。 4、荷电保持能力:2v蓄电池储存后剩余容量与额定容量比值不低于96%,12v蓄电池不低于90%。 5、不含有镉、汞、锑等有害重金属物质。 6、在海拔高度4500米,环境温度-20~+45℃条件下能正常使用。正常使用期限不低于5年,2v蓄电池质保期为3年, 12v蓄电池质保期为2年。 7、按照gb/t 22473标准要求,通过国家批准认证机构的认证。 (二)生产企业资质要求 1、在中华人民共和国注册的独立法人, 国家环保部门在产许可企业,注册资本金须在2000万元人民币以上。 2、具有三年以上独立生产、供应和产品售后服务的能力,且生产检验能力达到200万kwh。 3、通过清洁生产资质认证。 4、持有危险废物经营许可证,并有能力履行废旧电池回收业务,以避免回收环节中的铅危害。 附件2:金太阳示范项目汇总表
金太阳示范项目汇总表(续)
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