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北京市发展和改革委员会关于加紧组织申报2012年国家金太阳工程项目的通知 各区县发展改革委,各有关单位: 根据《财政部、科技部、国家能源局关于做好2012年金太阳示范工作的通知》(财建[2012]21号)和《关于加强金太阳示范工程和太阳能光电建筑应用示范工程建设管理的通知》(财建[2010]662号)要求,中央财政拟对于符合要求的用户侧发电项目原则上给予7元/瓦的补助,目前申报工作已全面开展。为积极促进本市的新能源开发利用,充分发挥中央资金对本市新能源发展的促进和带动作用,进一步规范本市金太阳项目申报建设及运行管理,请你单位积极组织相关项目的申报工作,具体要求如下: 一、项目申报范围 (一)在经济技术开发区、高新技术开发区、工业园区、产业园区、商业区进行集中建设的用户侧光伏发电项目。 (二)利用工矿、商业企业既有建筑等条件分散建设的用户侧光伏发电项目。 (三)开展与智能电网和微电网技术相结合的集中成片用户侧光伏发电项目示范。 (四)特殊行业建设的独立光伏发电系统或并网不上网的光伏发电系统。 二、项目申报条件 (一)项目单位资本金不低于项目总投资的30%。 (二)光伏发电集中应用示范区项目需整体申报,总装机容量原则上不小于10兆瓦,分散建设的用户侧发电项目装机容量原则上不低于2兆瓦。采取合同能源管理方式建设的项目,项目实施单位必须与用电单位签订长期协议。 (三)进行光伏发电集中应用示范的经济技术开发区、高新技术开发区、工业园区、产业园区,必须有明确的专门管理机构,负责协调项目建设、电网接入、运行管理等方面工作。 (四)示范项目需具备较好经济效益,设计方案合理,建筑屋顶改造投资较低等条件,对与新建厂房整体规划建设的项目给予优先支持。 (五)项目并网设计符合规范,发电量主要自用。另外项目必须接入北京市新能源和可再生能源发电项目在线监测系统。 (六)项目采用的关键设备(包括光伏组件、逆变器、蓄电池)由实施单位自主采购,设备供应企业和产品性能必须满足相关要求(见附件)。 (七)项目必须在2012年12月31日前完成竣工验收。 (八)以前年度承担金太阳示范项目但未按要求期限完工的项目单位,不得申报新项目。已获得相关政策支持的项目不得重复申报。 三、申报程序和时间 (一)项目实施单位按市固定资产投资核准要求编制项目申请报告,按属地原则上报我委核准。 (二)项目申报截止时间为2012年2月29日,我委将组织专家评审后上报。 二〇一二年二月十四日 附件: 金太阳示范工程关键设备基本要求(2012年) 一、电池组件 (一)性能要求 1、晶体硅组件全光照面积的光电转换效率(含组件边框面积)≥14.5%,非晶硅薄膜组件≥7%,cigs薄膜组件≥10%。 2、工作温度范围为-40℃~+85℃,初始功率(出厂前)不低于组件标称功率。 3、使用寿命不低于25年,质保期不少于5年。晶体硅组件衰减率在2年内不高于2%,25年内不高于20%。非晶硅薄膜组件衰减率在2年内不高于4%,25年内不高于20%。 4、晶体硅和非晶硅薄膜组件分别按照gb/t9535(或iec61215)和gb/t18911(或iec61646)以及gb/t20047(或iec61730) 标准要求,通过国家批准认证机构的认证,关键部件和原材料(电池片、封装材料、玻璃面板、背板材料、焊接材料、接线盒和接线端子等)型号、规格及生产厂家应与认证产品一致。 (二)生产企业资质要求 1、在中华人民共和国注册的独立法人,注册资本金在1亿元人民币以上。 2、具有三年以上相关产品独立生产、供应和售后服务的能力。晶体硅组件企业的生产检验能力不低于500 mwp,2011年实际发货量不低于300mwp(以海关报关单或销售发票为准)。非晶硅薄膜组件企业的生产检验能力不低于50mwp,cigs薄膜组件企业的生产检验能力不低于30mwp。 3、配备aaa级太阳模拟器、组件隐裂测试设备、高低温环境试验箱等关键检验设备。 4、2009-2011年无重大质量投诉或合同违约责任。 二、并网逆变器 (一) 性能要求 1、无隔离变压器型逆变器最大转换效率≥97%,含变压器型逆变器最大转换效率≥95%。 |