【法规名称】
【颁布时间】 2002-10-16
【效力属性】 已修正
【法规编号】 43058 什么是编号？
【正 文】
半导体制造业空气污染管制及排放标准
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第 1 条 本标准依空气污染防制法第二十条第二项、第二十二条第二项及第二十三条第二项规定订定之。 第 2 条 本标准专有名词及符号定义如下：一半导体制造业：指从事积体电路晶圆制造、晶圆封装、磊晶、光罩制造、导线架制造等作业者。二积体电路晶圆制造作业 (Wafer Fabrication)：指将各种规格晶圆生产各种用途之晶圆之作业，包括经由物理气相沈积 (Physical Vapor Deposition)、化学气相沈积 (Chemical Vapor Deposition)、光阻、微影 (Photolithography) 、蚀刻 ( Etching) 、扩散、离子植入 (Ion Implantation) 、氧化与热处理等制程。三积体电路晶圆封装作业 (Wafer Package)：指将制造完成之各种用途之晶圆生产成为半导体产品之作业，包括经由切割成片状的晶粒 (Dice) ，再经焊接、电镀、有机溶剂清洗和酸洗等制程。四光阻剂：指实施积体电路晶圆制造之选择蚀刻时，所需耐酸性之感光剂。五光阻制程：指晶圆经过光组剂的涂布、曝光、显像，使晶圆上形成各类型电路的制程。六挥发性有机物 (Volatile Organic Compounds, VOCs) ：系指有机化合物成份之总称。但不包括甲烷、一氧化碳、二氧化碳、碳酸、碳化物、碳酸盐、碳酸铵等化合物。七密闭排气系统 (Closed Vent System) ：系指可将设备或制程设备元件排出或逸散出之空气污染物，捕集并输送至污染防制设备，使传送之气体不直接与大气接触之系统。该系统包括管线及连接装置。八污染防制设备：系指处理废气之热焚化炉、触媒焚化炉、锅炉或加热炉等密闭式焚化设施、冷凝器、吸附装置、吸收塔、废气燃烧塔、生物处理设施或其它经中央主管机关认定者。九工厂总排放量：系指同一厂场周界内所有排放管道排放某单一空气污染物之总和；单位为 kg/hr。一○污染防制设备削减量及排放削减率之计算公式如下： (一) 污染防制设备削减量= E-E0；单位为 kg/hr。 (二) 排放削减率= (E-E0) /E×100％；单位为％。 E： 经密闭排气系统进入污染防制设备前之气状污染物质量流率，单位为 kg/hr。 Eo (排放量) ：经污染防制设备后迳排大气之气状污染物质量流率，单位为 kg/hr。 一一润湿因子：洗涤循环水量／ (填充物比表面积×洗涤塔填充段水平截面积) ，单位为 m2/hr。一二洗涤循环水量：湿式洗涤设备内部流过填充物之洗涤水体积流量，单位为 m3/hr。一三填充物比表面积：湿式洗涤设备之填充物单位体积内所能提供之气液接触面积，单位为 m2/m3。一四洗涤塔填充段水平截面积：湿式洗涤设备内部装载填充物部份之水平横截面积，单位为 m2 。一五流量计：任何可直接或间接测得废气排放体积流量之设施。一六每季有效监测率： (每季污染源操作小时数－每季污染源操作期间连续自动监测器失效小时数) ／每季污染源操作小时数。第 3 条 本标准适用于半导体制造业。但原物料年用量小于下表所列者，该项物质不适用本标准之规定： ┌──────┬────────┐ │原物料 │年用量 │ ├──────┼────────┤ │挥发性有机物│一七○○公斤／年│ ├──────┼────────┤ │三氯乙烯 │六○公斤／年 │ ├──────┼────────┤ │硝酸 │一七○○公斤／年│ ├──────┼────────┤ │硫酸 │三○○公斤／年 │ ├──────┼────────┤ │盐酸 │一七○○公斤／年│ ├──────┼────────┤ │磷酸 │一七○○公斤／年│ ├──────┼────────┤ │氢氟酸 │一二○○公斤／年│ └──────┴────────┘ 第 4 条 半导体制造业产生之空气污染物应由密闭排气系统导入污染防制设备，并处理至符合下表规定后始得排放。 ┌──────┬────────────────────┐ │空气污染物 │排放标准 │ ├──────┼────────────────────┤ │挥发性有机物│排放削减率应大于九○％或工厂总排放量应小│ │ │于○．六 kg/hr (以甲烷为计算基准) 。 │ ├──────┼────────────────────┤ │三氯乙烯 │排放削减率应大于九○％或工厂总排放量应小│ │ │于○．○二 kg/hr。 │ ├──────┼────────────────────┤ |
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