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【法规名称】 
【颁布部门】 工业和信息化部
【发文字号】 工信部科[2011]320号
【颁布时间】 2011-07-01
【实施时间】 2011-07-01
【效力属性】 有效
【法规编号】 560101  什么是编号?
【正  文】

第14页 产业关键共性技术发展指南(2011年)

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  5. 医疗器械国产化核心部件及关键技术

  

  主要技术内容:

  

  数字化x射线成像设备的关键部件平板探测器制造技术;x射线球管制造技术;大功率高频x射线发生器制造技术;高性能超声成像探头制造技术;检验分析设备样本液体传送和处理精密机械装置技术;呼吸机麻醉机精密气体流量和压力传感器、电子流量计技术;口腔和精密外科手术器械长寿命高速气动和电动马达技术等。

  

  五、电子制造业

  

  (一)集成电路

  

  1. 集成电路大规模生产先进工艺技术

  

  主要技术内容:

  

  65nm高性能、低功耗、射频cmos工艺平台开发;45~40nm低功耗和高性能cmos产品工艺。

  

  2. 高压高功率电力电子器件工艺技术

  

  主要技术内容:

  

  功率器件后道薄片工艺研究;功率器件的少子寿命控制技术;高压、大功率器件前道制造工艺研究;高压大功率igbt器件、frd器件、mosfet器件的结构研究;器件和工艺仿真技术;提高高压大功率igbt、frd、mosfet器件可靠性和鲁棒性的相关技术。

  

  3. 家用电器变频控制系统器件技术

  

  主要技术内容:

  

  igbt管芯的设计技术研究,igbt管芯的制造技术研究,ipm模块的设计技术研究,ipm模块的封装技术研究。

  

  (二)平板显示

  

  1. tft-lcd共性技术

  

  主要技术内容:

  

  进一步提升液晶面板的透过率和开口率,增加产品的附加值;加快高效节能背光源的研发和应用,在确保产品性能的前提下,简化生产工序,降低生产成本。

  

  2. pdp共性技术

  

  主要技术内容:

  

  围绕高光效技术(高能效、低成本)、高清晰度技术(3d、动态清晰度、超高清晰度)以及超薄技术方面进行相关技术研发;研究新材料、新工艺、新驱动波形、新型驱动电路与控制软件技术来提高pdp产品性能。

  

  3. 有机发光显示器oled共性技术

  

  主要技术内容:

  

  pm-oled技术;大尺寸am-oled相关技术和工艺集成;氧化物基等tft的研发及其在am-oled中的应用技术;ltps技术;高性能有机发光材料、蒸镀掩模板及驱动ic等技术。

  

  4. 低温多晶硅驱动技术

  

  主要技术内容:

  

  准分子激光退火(ela)技术;金属诱导晶化(mic)技术;固相结晶化(spc)技术;氧化物tft技术。

  

  (三)太阳能光伏

  

  1. 万吨级多晶硅生产技术

  

  主要技术内容:

  

  以降低生产能耗,提高副产物综合利用率,降低生产成本为目标,开发新型节能还原炉,研究多对棒还原炉,提高三氯氢硅转化率,开发流化床生产技术,提高副产物二氯二氢硅、四氯化硅的回收水平,开发热氢化和冷氢化技术。

  

  2. 高效晶硅电池制造技术

  

  主要技术内容:

  

  以提高电池转换效率,降低生产成本为目标,开发选择性发射极、背面接触、二次丝网印刷、高效绒面、正反面钝化、正面玻璃镀膜等技术。

  

  3. 硅基薄膜电池制造技术

  

  主要技术内容:

  

  提升硅基薄膜电池转换效率,包括非晶硅单双节电池、非晶/微晶叠层电池、多节硅基薄膜电池等技术,降低薄膜电池衰减率,提高微晶沉积速率,开发大尺寸沉积技术,和沉积均匀性技术等。

  

  4. 光伏设备

  

  主要技术内容:

  

  研究开发氢化炉、还原炉、多线切割机、丝网印刷机、烧结炉,薄膜电池所需的pecvd等设备技术。

  

  5. 光伏辅料

  

  主要技术内容:

  

  研究开发切割线、光伏背板、tco玻璃、银铝浆等产品的制造技术。

  

  (四)动力电池及超级电容器

  

  1. 高效能、高一致性电池

  

  主要技术内容:

  

  一致性单体电池的自动化生产技术;电池组件、电池包与供电系统优化设计技术。

  

  2. 超级电容器技术

  

  主要技术内容:

  

  提高超级电容器的比功率与比能量的材料技术和结构设计技术;超级电容器与电池混合应用系统的研究。

  

  (五)led照明

  

  1. led外延及芯片制造共性关键工艺技术

  

  主要技术内容:

  

  红光led的衬底转移工艺技术,包括具有腐蚀终止层的高内量子效率外延片的生长技术,低欧姆接触透明电极的制作技术,高反射金属膜的制作技术,si/gaas衬底转移的金属键合技术,si/gaas衬底转移的化学剥离技术,金属键合型晶片的切割技术,金属键合型芯片全点测及分选技术;

  

  蓝光led衬底转移工艺技术,包括图形衬底的制作技术,高内量子效率外延片的生长技术,低欧姆接触透明p电极的制作技术,低欧姆接触n电极的制作技术,表面粗化技术,衬底转移的剥离技术,衬底转移的金属键合技术,金属键合型晶片的切割技术,金属键合型芯片全点测及分选技术。
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