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[接上页] “但不包括构成机床或水射流切割机附件或零件的台钳。” 第985页,第十六类,总注释条文,本页第18行将原文修改为: “(四)品目84.56至84.65所列机器的零件(品目84.66)。” 第985页,第十六类,总注释第二部分,注释条文,本页倒数第7行 本页倒数第7行之后插入新的第10项: “10.组装成电池组的蓄电池。” 原第10至18项,编号相应调整为第11至19项 第993页,第八十四章,总注释条文,本页第5行 将原文修改为: “另外,下列物品虽然看起来可归入品目84.24,但实际上应归入本章后面的有关品目: (一)喷墨印刷(打印)机器(品目84.43) (二)水射流切割机(品目84.56)” 第1030页,品目84.24,注释条文,本页倒数第3行 将原文修改为: “……或水与精细研磨料混合的射流进行切割加工(品目84.56)。” 第1067页,品目84.42,排他条款,本页第20.21行 将原文修改为: “(五)金属、石料或木材的加工机床及水射流切割机(例如,刨平或抛光字模用的机器:刨切嵌线用的机器;圆盘或圆球的压纹加工机器;镌刻机;铣刀刻纹机;修边锯)(品目84.56至84.65)” 第1090页,品目84.56,注释条文,本页倒数第16行 在本页倒数第16行之后插入新的一段: “本品目也包括下列第(八)款所述的水射流切割机。” 第1090页,品目84.56,注释条文,本页倒数第11-15行 将原文修改为: “然而,本品目不包括以下种加工机器,它们应归入品目84.86 (一)通过去除材料来加工各种材料的加工机器,专用于或主要用于制造半导体单晶柱或晶圆、半导体器件、集成电路或平板显示器。 (二)通过去除材料来加工各种材料的加工机器,专用于或主要用于制造或修补掩膜版及投影掩膜版。 (三)用干法蚀刻半导体材料的加工机器。” 第1091页,品目84.56,注释条文,本页第23行 在本页第23行之后插入新的一段: “(八)水射流切割机 本组包括水射流或研磨水射流切割机。这类机器通常以2-3倍音速的速度喷射出水射流或精细研磨料与水混合的射流,对材料进行切割加工。它们在3000~4000巴的压力下进行工作,能对多种材料进行各种各样的精密切割。水射流切割机一般用于切割比较柔软的材料(泡沫材料、软质橡胶、密封材料、金属箔等)。研磨水射流切割机一般用于切割比较坚硬的材料(工具钢、硬质橡胶、复合材料、石料、玻璃、铝、不锈钢等)。” 第1091页,品目84.56,注释条文,本页倒数第14-15行 将原文修改为: “除零件归类总原则另有规定的以外(参见第十六类总注释),本品目所列机器的零件及附件应归入品目84.66。” 第1092页,品目84.57,排他条款,本页倒数第1行 将原文修改为: “(一)用激光、其他光、光子束、超声波、放电、电化学法、电子束、离子束或等离子弧处理各种材料的加工机床;水射流切割机(品目84.56)” 第1093页,品目84.58,排他条款,本页倒数第14行 将原文修改为: “(一)用激光、其他光、光子束、超声波、放电、电化学法、电子束、离子束或等离子弧处理各种材料的加工机床:水射流切割机(品目84.56)。” 第1095页,品目84.59,排他条款,本页第15-16行 将原文修改为: “(一)用激光、其他光、光子束、超声波、放电、电化学法、电子束、离子束或等离子弧处理各种材料的加工机床:水射流切割机(品目84.56)。” 第1096页,品目84.60排他条款,本页倒数第11行 将原文修改为: “(三)用激光、其他光、光子束、超声波、放电、电化学法、电子束、离子束或等离子弧处理各种材料的加工机床;水射流切割机(品目84.56)。” 第1098页,品目84.61,排他条款,本页倒数第14行 将原文修改为: ”(一)用激光、其他光、光子束、超声波、放电、电化学法、电子束、离子束或等离子弧处理各种材料的加工机床;水射流切割机(品目84.56)。” 第1105页,品目84.65,排他条款,本页倒数第12-13行 将原文修改为: “(二)品目84.56所列的用激光、其他光、光子束、超声波或等离子弧等工艺处理材料的加工机床及其他机器。” 第1106页,品目84.66,注释条文,本页第4行 将原文修改为: “一、品目84.56至84.65所列机器的零件” 第1106页,品目84.66,注释条文,本页第5-6行 |